-

KIOXIA AiSAQ™软件推出新版本向量搜索库,推动AI检索增强生成技术发展

全新开源软件支持根据用户需求与环境灵活平衡容量和性能

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 为持续优化固态硬盘(SSD)的使用,提升检索增强生成(RAG)系统中AI向量数据库搜索的可用性,全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布更新其KIOXIA AiSAQ™(全存储型乘积量化近似最近邻搜索)软件。此次新开源版本引入了灵活控制功能,使系统架构师能够在搜索性能与向量数量之间定义平衡点——这两个因素在系统SSD存储的固定容量中相互制约。这一成果带来的益处是,RAG系统的架构师无需对硬件进行任何修改,即可针对特定工作负载及其需求精细调整出最佳平衡点。

KIOXIA AiSAQ软件于2025年1月首次推出,采用专为SSD优化的新型近似最近邻搜索(ANNS)算法,无需将索引数据存储在DRAM中。通过支持直接在SSD上进行向量搜索并降低主机内存需求,KIOXIA AiSAQ技术使向量数据库能够进行扩展,基本不受DRAM容量限制的影响。

当系统中SSD的安装容量固定时,提升搜索性能(每秒查询数)需要每个向量消耗更多SSD容量,从而导致向量数量减少。反之,若要最大化向量数量,则需减少每个向量的SSD容量消耗,这将导致性能下降。这两个对立条件的最佳平衡点因具体工作负载而异。为找到合适的平衡,KIOXIA AiSAQ软件引入了灵活的配置选项。此次最新更新使管理员能够在RAG系统中为各种不同工作负载选择最佳平衡点。这一更新使KIOXIA AiSAQ技术不仅适用于RAG应用,还适用于离线语义搜索等其他向量密集型应用,成为基于SSD的理想ANNS解决方案。

随着对可扩展AI服务的需求不断增长,SSD为管理RAG系统所需的高吞吐量和低延迟提供了比DRAM更实用的替代方案。KIOXIA AiSAQ软件能够高效满足这些需求,使大规模生成式AI得以实现,而不受内存资源有限的限制。

通过将KIOXIA AiSAQ软件以开源形式发布,Kioxia强化了对AI社区的承诺,推动以SSD为中心的可扩展AI架构发展。

请点击此链接下载KIOXIA AiSAQ开源软件。
https://github.com/kioxia-jp/aisaq-diskann

* KIOXIA AiSAQ(全存储型乘积量化ANNS,一种新颖的索引数据放置方法)是Kioxia的商标。
* 所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择,并为社会创造基于存储技术的价值,从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统)的未来。

*本文档中的信息(包括产品价格和规格、服务内容和联系信息)在公告发布之日是正确的,但如有更改,恕不另行通知。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
销售战略规划部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

Kioxia Corporation



Contacts

媒体垂询:
Kioxia Corporation
销售战略规划部
Satoshi Shindo
电话:+81-3-6478-2404

More News From Kioxia Corporation

Kioxia启动第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC器件样品出货

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已启动采用第九代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的512Gb三级单元(TLC)存储器件样品出货¹,并计划于2025财年开启量产。这些器件专为中低存储容量需求场景设计,可支持需要高性能、高功率效率的应用。它们还将集成到Kioxia的企业级固态硬盘(SSD)中,尤其适用于旨在最大程度提升AI系统中GPU效率的产品。 Kioxia始终秉持双管齐下的战略,在满足前沿应用多样化需求的同时,提供兼具竞争力与最优投资效率的产品。这两条战略轴线分别是: 第九代BiCS FLASH™产品:通过采用CMOS直接键合至阵列(CBA)技术²,将现有存储单元技术³与最新CMOS技术集成,在降低生产成本的同时实现高性能。 第十代BiCS FLASH™产品:通过增加存储层数,满足未来对大容量、高性能解决方案的预期需求。 新款第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC采用基于第五代BiCS FLASH™技术的120层堆叠工艺和先进CMOS技术开发,与Kioxia现有同为51...

KIOXIA推出业界首款245.76 TB NVMe SSD,专为生成式AI环境需求打造

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation扩展了其高容量KIOXIA LC9系列企业级SSD产品线,推出业界首款[1] 245.76太字节(TB)[2] NVMe™ SSD,提供2.5英寸和EDSFF E3.L两种规格。这一新的容量和规格选项与此前发布的122.88 TB(2.5英寸)型号形成互补,专为满足生成式AI环境对性能和效率的需求而设计。 生成式AI对存储有着独特的需求,包括需要存储海量数据集用于训练大型语言模型(LLM),以及创建嵌入向量和向量数据库以支持通过检索增强生成(RAG)实现的推理。这些工作负载需要具备卓越容量、速度和效率的存储解决方案。 KIOXIA LC9系列SSD采用32层堆叠的2太比特(Tb)[3] BiCS FLASH™ QLC 3D闪存,并结合创新的CBA(CMOS直接键合到阵列)技术,能够提供支持下一波数据中心工作负载所需的速度、规模和密度。这种先进的存储架构与CBA技术相结合,实现了在154球栅阵列(BGA)小型封装中达到8 TB[3]的容量——这也是一项业界首创[1]。这一里程碑的实现得益于...

Kioxia推出UFS 4.1版本嵌入式闪存设备样品

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已开始提供全新的通用闪存存储(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品,进一步巩固其在高性能存储领域的领先地位。这些新设备专为满足下一代移动应用程序的需求而设计,包括搭载设备端AI的高级智能手机,它在小型BGA封装中实现了性能提升与更高的能效(3)。 Kioxia的UFS 4.1版本设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)打造。该代产品引入了CBA(CMOS直接键合阵列)技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列,CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。 Kioxia的UFS 4.1版本设备兼具高速与低功耗特性,旨在提升用户体验,实现更快的下载速度和更流畅的应用程序运行表现。 核心特性包括: 提供256 GB、512 GB和1 TB三种容量选择 性能较上一代产品提升(3): 随机写入:51...
Back to Newsroom