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ALISO VIEJO, Calif.--(BUSINESS WIRE)--indie Semiconductor (Nasdaq: INDI), an automotive solutions innovator, today announced that it has granted equity awards (the “Inducement Grants”) under its 2023 Inducement Incentive Plan to new employees who joined indie. The grants were previously approved by the Compensation Committee of the Board of Directors of indie Semiconductor. Information regarding the equity awards can be found on the company's investor relations website at: https://investors.ind...

SANTA CLARA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Marvell Technology, Inc. (NASDAQ: MRVL), today announced a quarterly dividend of $0.06 per share of common stock payable on January 29, 2026 to shareholders of record as of January 9, 2026. About Marvell To deliver the data infrastructure technology that connects the world, we’re building solutions on the most powerful foundation: our partnerships with our customers. Trusted by the world’s leading technology companies for over 30 years, we move, store, proc...

GREENVILLE, Texas e JENBACH, Austria--(BUSINESS WIRE)--INNIO Group, azienda leader nella fornitura di soluzioni e servizi, sta collaborando con la società di energia elettrica statunitense Greenville Electric Utility System (GEUS) a una storica centrale elettrica da 104 megawatt (MW). La nuova centrale è progettata per aiutare a rinforzare la stabilità della rete, coprire i carichi di picco e consentire una maggiore integrazione dell'energia rinnovabile. “Questo progetto è un importante traguar...

GREENVILLE, Texas & JENBACH, Oostenrijk--(BUSINESS WIRE)--INNIO Group, een vooraanstaande aanbieder van energieoplossingen en services, werkt met de Amerikaanse elektriciteitsmaatschappij GEUS (U.S. power utility Greenville Electric Utility System) samen aan een baanbrekende elektriciteitscentrale van 104-megawatt (MW). De nieuwe centrale is bedoeld om de stabiliteit van het stroomnet te verstevigen, piekbelastingen te dekken en een betere integratie van hernieuwbare energie mogelijk te maken....

GREENVILLE, Texas y JENBACH, Austria--(BUSINESS WIRE)--El Grupo INNIO, proveedor líder de soluciones y servicios energéticos, colabora con la empresa eléctrica estadounidense Greenville Electric Utility System (GEUS) en la construcción de una innovadora central eléctrica de 104 megavatios (MW). La nueva central está diseñada para ayudar a reforzar la estabilidad de la red, cubrir los picos de demanda y permitir una mayor integración de las energías renovables. «Este proyecto es un gran avance p...

GREENVILLE, Texas et JENBACH, Autriche--(BUSINESS WIRE)--Le groupe INNIO, l'un des principaux fournisseurs de solutions et de services énergétiques, collabore avec le fournisseur d'électricité américain Greenville Electric Utility System (GEUS) sur une centrale électrique de 104 mégawatts (MW). La nouvelle centrale est conçue pour aider à renforcer la stabilité du réseau, à couvrir les pics de charge et à permettre une plus grande intégration des énergies renouvelables. « Ce projet est une avan...

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已研发出具备高堆叠性的氧化物半导体沟道晶体管技术，该技术将推动高密度、低功耗3D DRAM的实际应用。这项技术已于12月10日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会(IEDM)上亮相，有望降低AI服务器和物联网组件等众多应用场景的功耗。 在AI时代，市场对于具备更大容量、更低功耗、可处理海量数据的DRAM的需求持续攀升。传统DRAM技术在存储单元尺寸微缩方面已逼近物理极限，业界因此开始研究存储单元的3D堆叠技术，以此拓展存储容量。传统DRAM采用单晶硅作为堆叠存储单元中晶体管的沟道材料，这种方式会推高制造成本，同时存储单元的刷新功耗还会随存储容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我们宣布研发出氧化物半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)技术，该技术使用由氧化物半导体材料制成的垂直晶体管。在今年的大会展示中，我们推出了可实现OCTRAM 3D堆叠的高堆叠性氧化物半导体沟道晶体管技术，并完成了8层晶体管堆叠结构的功能验证。 这项新技术将...

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領域的領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已研發出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道電晶體技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件大會(IEDM)上亮相，可望降低AI伺服器和物聯網組件等眾多應用場景的功耗。 在AI時代，市場對於具備更大容量、更低功耗、可處理海量資料的DRAM的需求持續攀升。傳統DRAM技術在儲存單元尺寸微縮方面已逼近實體極限，業界因此開始研究儲存單元的3D堆疊技術，以此擴大儲存容量。傳統DRAM將單晶矽用作堆疊儲存單元中電晶體的溝道材料，這種方式會推高製造成本，同時儲存單元的刷新功耗還會隨儲存容量的增加而成正比上升。 在去年的IEDM上，我們宣布研發出氧化物半導體溝道電晶體DRAM (OCTRAM)技術，該技術使用由氧化物半導體材料製成的垂直電晶體。在今年的大會展示中，我們推出了可實現OCTRAM 3D堆疊的高堆疊性氧化物半導體溝道電晶體技術，並完成了8層電晶體堆疊結構的功能驗證。 這項新技術將成...

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permitirán la implementación práctica de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) 3D de alta densidad y bajo consumo. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, EE. UU., el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de...

TÓQUIO--(BUSINESS WIRE)--A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento de transistores de canal de semicondutor de óxido altamente empilháveis que permitirão a implementação prática de DRAM 3D de alta densidade e baixo consumo de energia. Essa tecnologia foi apresentada na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, EUA, em 10 de dezembro, e tem o potencial de reduzir significativamente o consumo de energia em uma...