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Semiconductor
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Kioxia啟動第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC元件樣品出貨

東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- 全球儲存解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布,已啟動採用第九代BiCS FLASHTM 3D快閃記憶體技術的512Gb三級單元(TLC)儲存元件樣品出貨¹,並計畫于2025會計年度開啟量產。這些元件專為中低儲存容量需求場景設計,可支援需要高效能、高功率效率的應用。它們還將整合到Kioxia的企業級固態硬碟(SSD)中,尤其適用於旨在最大程度提升AI系統中GPU效率的產品。 Kioxia始終秉持雙管齊下的策略,在滿足尖端應用多樣化需求的同時,提供兼具競爭力與最優投資效率的產品。這兩條策略軸線分別是: 第九代BiCS FLASH™產品:透過採用CMOS直接貼合至陣列(CBA)技術²,將現有儲存單元技術³與最新CMOS技術整合,在降低生產成本的同時實現高效能。 第十代BiCS FLASH™產品:透過增加儲存層數,滿足未來對大容量、高效能解決方案的預期需求。 新款第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC採用基於第五代BiCS FLASHTM技術的120層堆疊製程和先進CMOS技術開發,相較Kioxi...
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Kioxia启动第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC器件样品出货

东京--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- 全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已启动采用第九代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的512Gb三级单元(TLC)存储器件样品出货¹,并计划于2025财年开启量产。这些器件专为中低存储容量需求场景设计,可支持需要高性能、高功率效率的应用。它们还将集成到Kioxia的企业级固态硬盘(SSD)中,尤其适用于旨在最大程度提升AI系统中GPU效率的产品。 Kioxia始终秉持双管齐下的战略,在满足前沿应用多样化需求的同时,提供兼具竞争力与最优投资效率的产品。这两条战略轴线分别是: 第九代BiCS FLASH™产品:通过采用CMOS直接键合至阵列(CBA)技术²,将现有存储单元技术³与最新CMOS技术集成,在降低生产成本的同时实现高性能。 第十代BiCS FLASH™产品:通过增加存储层数,满足未来对大容量、高性能解决方案的预期需求。 新款第九代BiCS FLASHTM 512Gb TLC采用基于第五代BiCS FLASH™技术的120层堆叠工艺和先进CMOS技术开发,与Kioxia现有同为51...
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Kioxia Commences Sample Shipments of 9th Generation BiCS FLASH™ 512Gb TLC Devices

SAN JOSE, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Kioxia is sampling 9th generation BiCS FLASH 512Gb TLC devices....
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キオクシア:第9世代BiCS FLASHTM 512Gb TLC製品のサンプル出荷について

東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、本日より、第9世代のBiCS FLASHTM3次元フラッシュメモリ技術を適用した512Gb(ギガビット)TLC(Triple-Level-Cell、3ビット/セル)製品のサンプル出荷(注1)を開始しました。量産は2025年度中を予定しています。本製品は、低容量から中容量帯向けで高い性能や優れた電力効率を必要とするアプリケーションをターゲットとして開発しています。またAIシステムにおいてGPUの使用効率最大化を狙う当社のエンタープライズSSDなどにも展開していきます。 当社は、最先端アプリケーションの多様なニーズに応えつつ、最適な投資効率で競争力のある製品の開発に向けて、二軸の開発戦略を推進しています。具体的には、CBA (CMOS directly Bonded to Array) 技術(注2)を活用し、既存のセル技術(注3)と最新のCMOS技術を融合させ、投資コストを抑えつつ高性能を実現する第9世代BiCS FLASHTM製品群と、積層数を増加させて大容量かつ高性能を実現する第10世代BiCS...
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Kioxia Commences Sample Shipments of 9th Generation BiCS FLASHTM 512Gb TLC Devices

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Kioxia Corporation, a world leader in memory solutions, today announced it has commenced sample shipments¹ of 512Gb Triple-Level Cell (TLC) memory devices incorporating its 9th generation BiCS FLASHTM 3D flash memory technology. It plans to commence mass production in fiscal year 2025. The devices are designed to support applications requiring high performance and exceptional power efficiency in the low- to mid-level storage capacities. They will also be integrated into...
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Renesas Announces Loss Resulting from Signing Restructuring Support Agreement with Wolfspeed

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas announces loss resulting from signing restructuring support agreement with Wolfspeed....
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Renesas Announces Establishment of New Subsidiary and Changes as Specified Subsidiary

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas announced the establishment of a new subsidiary in the United States as a holding company for its Software & Digitalization business....
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Renesas Announces Consolidated Forecasts

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas, today announced the consolidated financial forecasts for the nine months ending September 30, 2025....
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Renesas Reports Financial Results for the Second Quarter Ended June 30, 2025

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas today announced consolidated financial results in accordance with IFRS for the three and six months ended June 30, 2025....
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Knowles Reports Q2 2025 Financial Results and Provides Outlook for Q3 2025

ITASCA, Ill.--(BUSINESS WIRE)--Knowles Corporation (NYSE: KN), a leading manufacturer of specialty electronic components, including high performance capacitors, radio frequency ("RF") filters, advanced medtech microphones, and balanced armature speakers, today announced results for the quarter ended June 30, 2025. “We closed the second quarter of 2025 with revenues and cash provided by operating activities exceeding the high-end of our guided range and non-GAAP diluted EPS from continuing opera...