Toshiba推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，旨在提升人工智能数据中心的能效

川崎市，日本--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出TPM1R408RH，这是一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H^[1]制造的80V N沟道功率MOSFET。该MOSFET主要面向人工智能数据中心和通信基站所用工业设备的开关模式电源等应用。产品已于今日开始出货。

人工智能处理的持续扩展增加了数据中心的电力需求，而通信基础设施的进步则进一步提高了开关模式电源的相关技术要求，即效率更高、体积更小（更高功率密度）以及更低的电磁干扰（EMI）。由于功耗会直接影响系统的功耗、发热量和散热负荷，因此必须采用具备相关特性的功率半导体器件，这些器件不仅能平衡地降低传导损耗和开关损耗，还能促进整体系统的优化，包括改善电磁干扰抑制能力、优化散热设计以及便于安装。

TPM1R408RH采用优化器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）^[2]的漏源导通电阻，比Toshiba采用上一代U-MOS X-H工艺制造的80V产品“TPM1R908QM”低约26%。此外，该器件还改善了漏源导通电阻（_DS(ON)）与总栅极电荷（Q_g）之间的权衡关系，其性能指标R_DS(ON) × Q_g较TPM1R908QM降低了约45%。这些特性代表了业界领先^[3]的低功耗水平。

TPM1R408RH还能抑制开关过程中漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关模式电源中的电磁干扰（EMI）。EMI抑制通常需要在设计的后期阶段进行返工，但抑制由器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和阻尼电路。

该新产品采用了SOP Advance(E)封装，与Toshiba现有的SOP Advance(N)封装相比，其封装电阻降低了约65%，热阻降低了约15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装可支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。

Toshiba还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。用户可通过Toshiba网站上的在线电路仿真器，在网页浏览器中轻松验证电路工作情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。（在线电路仿真器：点击此处）

Toshiba将继续扩充其功率MOSFET产品线，以提升电源效率，从而有助于降低工业设备的能耗。

注：
[1] 截至2026年6月，基于Toshiba的低压功率MOSFET工艺。
[2] V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C
[3] Toshiba调查，截至2026年6月。

应用

工业设备

• 用于人工智能数据中心和通信基站的开关模式电源

特性

• 低漏极-源极导通电阻：R_DS(ON) =1.4mΩ (max) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C)
• 低漏极-源极导通电阻 × 总栅极电荷： R_DS(ON) ×Q_g ＝1.4mΩ×80nC=112mΩ・nC （比TPM1R908QM的1.9 mΩ×10⁸ nC=205.2 mΩ・nC低约45%）
• 采用SOP Advance(E)封装，具备低封装电阻和低热阻的特点。

主要规格

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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值，并促进与客户的密切合作，共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

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